我們在上一篇博文中深入闡述了碳化硅襯底芯片的崛起，以及解決其清洗難題的方法。鑒于碳化硅晶圓具有薄且易碎的固有特性，還易出現表面不均勻的現象，因此在加工和處理時需要特別小心，而我們所擁有的廣泛設備組合，可確保滿足這些需求。

碳化硅 (SiC) 襯底芯片已進入（超）快車道。汽車行業需要SiC芯片，以增加電動汽車(EV)的續航里程并縮短充電時間；電信行業希望將SiC芯片應用于6G；可再生能源行業則希望將其用于更有效地發電和儲存。