SAPS兆聲波清洗設備

使用于集合電路系統較為先進科技子域的品面和圖像晶圓
盛美特殊專利技術申請權技術工藝(全國發名專利技術申請權;專利技術申請權號:ZL 2009 1 0050834.2)——半導體材料襯底的清晰具體方法和安裝(SAPS),使用的控制兆音波清晰安裝與晶圓的間隙隨兆音波相位的轉變 ,來達成兆音波在晶圓面上的均勻生長生長,以可達到最佳化的清晰特效。

SAPS兆聲波清洗設備

产品中心-盛美半导体设备(上海)股份有限公司
空間交變相位移晶圓清洗應用領域
• 深溝道的清洗 • CMP 后擦洗 • Hard Mask 沉淀積累后進行維護清潔 • Contact/Via 刻蝕后拆洗 • Barrier Metal火成巖前除污 • 晶圓回收并的清洗 • EPI火成巖前擦洗 • ALD積累前除垢

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产品中心-盛美半导体设备(上海)股份有限公司

特性和規格(Ultra C SAPS II)

最小可配至4個腔體,產能利用率225WPH 單雙面擦洗,多可配5種擦洗藥液, 如. DHF SC1, SC2, DIO3, BOE, Solvent, HF/HNO3… 總共回收利用公司每種藥液 融合式藥液供給量模塊圖片

設備體積小:2.35m x 5.53m x 2.85m (寬x長x高)

特性和規格(Ultra C SAPS V)

包括一切Ultra C SAPS II設備的的功能 最大可配至1兩個腔體, 產能利用率375 WPH ibms式無機化學藥液提供了版塊 可配高溫作業IPA常溫、干燥的技能

設備體積小:2.35m x 6.7m x 2.85m (寬x長x高)

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