Post-CMP清洗設備

應用軟件于硅片和氧化硅襯底開發
盛美濟南的Post-CMP專用生產設備主要用到制做優質水平量襯底化學上的機械生產設備研磨機(CMP)加工工藝接下來的清潔，有濕進干出（WIDO）和干進干出（DIDO）二種搭配。該清潔專用生產設備6寸大和8寸大的搭配適主要用到氧化硅（SiC）襯底制做；8寸大和12寸大搭配適主要用到硅片制做。

Post-CMP清洗設備

产品中心-盛美半导体设备（上海）股份有限公司
  

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主要優勢

在CMP步驟之后，需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗工藝，以減少顆粒數量。盛美上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求，并提供多種配置，包括盛美上海自主研發的 Smart Megasonix先進清洗技術。
 


特性和規格（Ultra C WPN（WIDO））

在線預清洗設備：
　　　　可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
　　　　20-25個剩余顆粒
　　　　金屬污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以內
　　　　當配置4個腔體的時候，產能可達每小時35片晶圓

 

離線預清洗設備：
　　　　可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
　　　　20-25個剩余顆粒
　　　　占地面積小




特性和規格（Ultra C WPN（DIDO））

可設置二個安裝網口 征占建筑面積小 可設備四或7個腔體，不同為5個軟刷和5個的清晰腔體或5個軟刷和以下的清晰腔體 可滿足37納米一下的短于1五類其他時間粒子劑或28納米一下的20-2五類其他時間粒子劑 最高的產能能夠達到每一小時60片晶圓

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