這三款Ultra C系列新產品的目標市場是先進集成電路領域，功率器件領域和先進晶圓級封裝（WLP）領域。晶圓背面清洗Ultra C b和槽式濕法清洗Ultra C wb設備現已在中國先進半導體廠的量產中證明了它們的優勢。公司首臺刷洗設備Ultra C s也已在2020年第一季度交付中國客戶，在驗收合格后即可確認收入。
晶圓背面清洗設備
Ultra C b
Ultra C b是一款高性價比的晶圓背面清洗設備，具有良好的顆粒管控能力和刻蝕均勻性控制能力，該設備三大關鍵應用分別為晶圓背面清洗工藝，如金屬去除或RCA清洗；晶圓背面濕法硅刻蝕工藝，如晶圓背面濕法減薄或濕法硅通孔露出（TSV reveal）；以及晶圓回收工藝中的多晶硅層、氧化層和氮化層等膜層剝離去除。該設備可處理高翹曲度晶圓，適用于處理200毫米或300毫米超薄晶圓和鍵合晶圓。
自動槽式清洗設備Ultra C wb，依托盛美研發的槽式與單片清洗集成設備Ultra C Tahoe的先進槽式技術基礎而開發，可以進行多達50片晶圓的批量清洗。自動槽式清洗設備的關鍵應用為爐管前清洗，RCA清洗，光阻去除，氧化層刻蝕，氮化硅去除，以及晶圓回收工藝中前段FEOL多晶硅/氧化硅層剝離去除，和后段BEOL金屬層剝離去除。該設備可針對不同的應用配置不同的化學藥液槽，如硫酸，磷酸，氫氟酸(HF)，緩沖氧化物刻蝕液(BOE)， SC1和SC2等化學藥液槽。晶圓依次在化學藥液槽中浸泡，經去離子水(DI)沖洗，最后在ATOMO干燥模塊中以汽化的異丙醇(IPA)進行干燥，干燥后無水痕。該設備的模塊化設計和較小的占地面積，使其可靈活配置。槽式清洗設備Ultra C wb可高效地回收使用化學藥水，節能減排。該設備可運用于200毫米或者300毫米的晶圓清洗應用。
刷洗設備
Ultra C s
最新型清洗主機械Ultra C s以盛美在晶圓級打包封裝這個研究方向（WLP）已查證出色的清洗技術為理論知識，不斷延展廣泛應在一體化電源線路操作系統生產制造技巧這個研究方向。其具備的軟刷能使用靶向的壓為控制以清洗晶圓表面及表面的顆粒物肥料。該主機械擁有專業的二流體力學（甲烷氣體和液）噴淋操作系統清洗技術，還可選裝配盛美本人操作系統創新的個人空間交借機位移（SAPS™）兆音波技術以實現雇主最高的要求——更強勁有力的小顆粒物肥料取除意識。版塊化操作系統可手機配置7個腔體，在一體化電源線路操作系統生產制造技巧這個研究方向300豪米的晶圓清洗，表中十二個腔體在反面清洗加工，十二個腔體在表面清洗加工。該清洗主機械性價變高，機靈性強、土地征用大小小、產能利用率高。
