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作為半導體制造與先進晶圓級封裝領域中的卓越設備供應商，盛美半導體設備今日宣布，為其不斷發展的300mm Ultra Fn立式爐干法工藝設備產品系列，增加了以下半導體制造工藝：非摻雜的多晶硅沉積、摻雜的多晶硅沉積、柵極氧化物沉積、高溫氧化和高溫退火。盛美將于3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉行的SEMICON China 2021的3659號展位上展示這些技術。
盛美先前已發布了應用于氧化物、氮化硅（SiN）低壓化學氣相沉積（LPCVD）和合金退火工藝功能的立式爐系統，基于該可配置的立式爐平臺，盛美開發了上述新功能。支持這些新應用的立式爐設備現已交付或預計陸續于2021年上半年內交付到客戶端。
“我們的戰略始終是找到半導體制造行業中具有高增長潛力的市場和應用，并且與我們的客戶合作，開發出先進技術來解決這些問題。”盛美半導體設備董事長王暉表示：“現在，我們能夠進行80％以上的批式熱工藝，包括用于SiN，HTO的LPCVD工藝，非摻雜多晶硅和摻雜多晶硅沉積，柵極氧化物沉積工藝，高達1200攝氏度的超高溫氧化和退火工藝。 這一新產品線的迅速導入，也進一步證明了我們與核心客戶合作戰略的成功。"
隨著半導體器件體積的不斷縮小和復雜度的增加，Ultra Fn系統的設計始終是為了尋求滿足客戶需求的更佳解決方案。當今的器件設計的高復雜度、微小幾何尺寸，對熱工藝的溫度控制的均一性與穩定性提出了高要求，這對晶圓良率至關重要。為了滿足這些要求，Ultra Fn加熱器開發了控制算法，使該平臺具有穩定的溫度控制性能。
盛美對其可靈活配置的Ultra Fn設備進行了功能擴展，僅對部分模塊和布局進行了一些更改即可適用于這些新工藝應用。該可配置的系統設計，與盛美現有的氧化物、氮化物沉積系統大部分硬件可通用，從而降低了總成本。 該系統可便捷地更換組件，以實現不同客戶的定制化工藝需求。
盛美的第一臺SiN LPCVD已于2020年初交付給一家重要的邏輯制造客戶，并在該工廠進行了大規模量產驗證。 同時，另一臺微托級超高真空功能的合金退火工藝立式爐設備已于2020年底交付給一家功率器件制造客戶，并已完成生產能力的驗證。而此次發布的其他新功能的設備也陸續開始在客戶端進行測試，預計在2021年內取得驗證結果。
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