盛美半導體發布首臺應用于化合物半導體制造中晶圓級封裝和電鍍應用的電鍍設備

2021-8-31 13:30:36
行业前沿-盛美半导体设备（上海）股份有限公司     作為半導體制造與先進晶圓級封裝領域中的卓越設備供應商，盛美半導體設備今日發布了新產品——Ultra ECP GIII電鍍設備，以支持化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金（Au）鍍到背面深孔工藝中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率。Ultra ECP GIII還配備了全自動平臺，支持6英寸平邊和V型槽晶圓的批量工藝，同時結合了盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術，可實現更佳性能。

    盛美半導體設備董事長王暉表示:“隨著電動汽車、5G通信、RF和AI應用的強勁需求，化合物半導體市場正在蓬勃發展。一直以來，化合物半導體制造工藝的自動化水平有限，并且受到產量的限制。此外，大多數電鍍工藝均采用均勻性較差的垂直式電鍍設備進行。盛美新研發的Ultra ECP GIII水平式電鍍設備克服了這兩個困難，以滿足化合物半導體不斷提升的產量和先進性能需求。”
 
    盛美的Ultra ECP GIII設備通過兩項技術來實現性能優勢：盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術。第二陽極技術可通過有效調整晶圓級電鍍性能，克服電場分布差異造成的問題，以實現卓越的均勻性控制。它可以應用于優化晶圓邊緣區域圖形和V型槽區域，并實現3%以內的電鍍均勻性。
 
    盛美的高速柵板技術可達到更強的攪拌效果，以強化傳質，從而顯著改善深孔工藝中的臺階覆蓋率，同時提升的步驟覆蓋率可降低金薄膜厚度，從而為客戶節約成本。
 
     盛美半導體的Ultra ECP GIII已取得來自中國化合物半導體制造商的兩個訂單。公司第一臺訂單設備采用第二陽極技術的銅-鎳-錫-鍍銀模塊，且集成真空預濕腔體和后道清洗腔體，應用于晶圓級封裝，已于上月交付。第二臺訂單設備適用于鍍金系統，將于今年下一季度交付客戶端。
 

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